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PSMN5R6-100BS,118  与  IPB042N10N3 G  区别

型号 PSMN5R6-100BS,118 IPB042N10N3 G
唯样编号 A36-PSMN5R6-100BS,118 A-IPB042N10N3 G
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK 系列:OptiMOS™ MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.2mΩ@50A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 306W 214W(Tc)
输出电容 561pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 PG-TO263-3
工作温度 175°C -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A 100A(Tc)
系列 - OptiMOS™
输入电容 8061pF -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 6V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 5.6mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 8410pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 117nC @ 10V
库存与单价
库存 0 1,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN5R6-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN5R6-100BS_SOT404 N-Channel 306W 175°C 3V 100V 100A

暂无价格 0 当前型号
IPB042N10N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB042N10N3GATMA1_N-Channel 100V 100A(Tc) ±20V 214W(Tc) 4.2mΩ@50A,10V -55°C~175°C(TJ) PG-TO263-3

暂无价格 1,000 对比
IRFS4010TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.7mΩ@106A,10V N-Channel 100V 180A D2PAK

暂无价格 800 对比
AOB292L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 100V ±20V 105A 300W 4.1mΩ@20A,10V -55°C~175°C

¥14.6939 

阶梯数 价格
1: ¥14.6939
100: ¥10.5882
400: ¥9.1139
800: ¥7.2
749 对比
IRLS4030TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 370W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.3mΩ@110A,10V N-Channel 100V 180A D2PAK

暂无价格 0 对比
AUIRLS4030TRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100V 180A(Tc) ±16V 370W(Tc) 4.3mΩ@110A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK 车规

暂无价格 0 对比

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